產品特點

　　1.分散性好。

　　2.粒徑分布廣泛:10nm。

　　3.高純度，有效減小對電子類產品的沾污

　　4.適合與各種拋光墊、合成材料配合拋光使用。

　　5.PH、粒徑、穩定離子等可以根據客戶定制。

　　6.經特殊工藝合成的化學機械拋光液，納米顆粒呈球形，單分散，大小均勻，粒徑分布窄，可獲得高質量的

　　拋光精度

　　拋光過程中具有:

　　1.高拋光速率，利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達到高速拋光的目的。

　　2.高平坦度加工，本品拋光是利用SiO2的膠體粒子，不會對加工件造成物理損傷，達到高平坦化加工.

　　拋光過程后具有:

　　1.精度可以達到納米級

　　2.劃傷和挖傷可以達到0/0。

　　適用于集成電路當中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型叫陷可調

　　低缺陷等特性。可應用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產使用。清除集成電路中銅拋光后表面

　　的拋光顆粒和化學物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。

　　以及用于單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。可定制選擇穩定的選擇

　　比，去除速率，對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優點。BSI拋光液系列具有理想的

　　硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層S，TSV晶背銅/介質層拋、TSV晶背硅

　　、TSV晶背硅/銅等。具有高去除速率、選擇比可調等優點。

　　以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等

　　使用方法

　　使用方法:

　　1.使用前清理瓶口，以防污染發生。

　　2.使用時，根據不同行業的需要可用去離子水加以稀釋，調制不同濃度

　　3.現場需保持清潔無揚塵，防止受到拋光液配制和使用過程遭到污染。

　　4.循環使用粘度增大時,應予以重新配制新的拋光液，以免損傷工件，降低良率

　　儲存方法:

　　1.保持室內陰涼

　　2.避免敞口長期與空氣接觸。

　　3.貯存時應避免曝曬，貯存溫度為5-35C

　　4.低于0°C以上儲存，防止結冰，在零度以下因產生不可再分散結塊而失效

　　價格實惠:

　　引進國外生產技術，品質可以媲美進口的產品,有效的避免了進口產品其交貨周期長，價格

　　昂貴。