IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數(shù)之一，普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結果，國產數(shù)字源表測試二極管IV特性曲線就找生產廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；

     分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應，通常分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字萬用表、      電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又耗時，又占用過多測試臺的空間；而且使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定性及更慢的總線傳輸速度等缺點。       實施半導體分立器件特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載，其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器、  波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。

普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表

    普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程       師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉，都能簡單而迅速地得到精確的結果。本應用解決方案介紹了半導體分立器件中最常見的測試和相關挑戰(zhàn)，以及普賽斯數(shù)字源表（SMU）怎樣簡化測量流程，幫助用戶快速、精準獲得測試數(shù)據或者電流電壓（I-V）、電容電壓（C-V）特性曲線等。

普賽斯國產源表測試PIN開關二極管電性能    

    二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導 電性元器件，產品結構一般為單個PN結結構，只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、保護等電路中，是電子工程上用途最廣泛的電子元 器件之一。

    IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數(shù)之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性： 

    正向特性：

    當在二極管兩端外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電 壓稱為死區(qū)電壓。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變， 這個電壓稱為二極管的正向電壓。 

    反向特性：

    當外加反向電壓時，如果電壓不超過一  定范圍時，反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)，這個電流稱為反向飽和電流或漏電流。當外加反向電壓超 過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電       擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。

    表征二極管性能好壞和適用范圍的技術指標主要包含正向壓降（VF）、反向漏電流（IR）和反向擊穿電壓 （VR）等參數(shù)。

 大電流測試時，測試導線的電阻不可忽略，需要使用四線測量模式，可以消除引線電阻的影響，普賽斯所有源表均支持四線測量模式。

    當測量低電平電流(<1μA)時，可以使用三軸同軸連接器和三同軸電纜。三同軸電纜由內芯（主，對應連  接器為中心觸點）、保護層（對應連接器為中間圓柱狀觸點）、外皮屏蔽層組成。在接入源表保護端的測試電路中，由于三同軸的保護層與內芯之間是等電位，不會有漏電流產生，能夠提高低電流測試精度。